我國(guó)晶圓制造取得突破！

  ICC訊  據(jù)中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所官方微信，近日上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，制備出了國(guó)內(nèi)第一片300mm 射頻(RF)SOI晶圓。

  團(tuán)隊(duì)基于集成電路材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室300mm SOI研發(fā)平臺(tái)，依次解決了300 mm RF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應(yīng)力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)300mm SOI制造技術(shù)從無(wú)到有的重大突破。300mm RF-SOI晶圓的自主制備將有力推動(dòng)國(guó)內(nèi)RF-SOI芯片設(shè)計(jì)、代工以及封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同快速發(fā)展，并為國(guó)內(nèi)SOI晶圓的供應(yīng)安全提供堅(jiān)實(shí)的保障。

  SOI可使用的元件范圍十分廣泛，例如通訊射頻前端的RF-SOI應(yīng)用、高功率Power-SOI元件、光通訊Photonics-SOI技術(shù)等。絕緣體上硅片(silicon-on-insulator，SOI) 技術(shù)是一種在硅材料與硅集成電路巨大成功的基礎(chǔ)上出現(xiàn)、有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)、能突破硅材料與硅集成電路限制的新技術(shù)。