國家信息光電子創(chuàng)新中心發(fā)布“創(chuàng)芯”成果 建設一流平臺

      ICCSZ訊（編輯：Anton）11月12日，由國家信息光電子創(chuàng)新中心主辦的第二屆中國硅光產業(yè)論壇在武漢成功舉辦。國家信息光電子創(chuàng)新中心副董事長毛浩在會上表示，硅光產業(yè)論壇將產業(yè)鏈匯聚一起，探討硅光技術的應用和發(fā)展。近年來經過調查與實踐，硅光技術被認為是行業(yè)需要突破的產業(yè)共性瓶頸以及未來的發(fā)展方向。隨著5G商用，5G承載場景對硅光技術的需求更加明顯，在已經實現(xiàn)規(guī)模商用的數(shù)據(jù)中心市場中，硅光產品也在不斷向更高速階段沖擊，例如阿里巴巴推出400G DR4硅光模塊。

      國家信息光電子創(chuàng)新中心成立的意義在于匯聚全行業(yè)鏈資源，推動人才、技術和資本等社會資源的融合，促進新技術的商用化，不與上下游競爭，發(fā)揮產業(yè)資源最大優(yōu)勢，突破硅光產業(yè)的發(fā)展瓶頸。

  在論壇上，國家信息光電子創(chuàng)新中心傅焰峰博士發(fā)表《國家信息光電子創(chuàng)新中心建設與發(fā)展》的主題報告，向行業(yè)詳細介紹了國家信息光電子創(chuàng)新中心建設及成立以來取得的成果。

  2018年4月26日，承載著解決我國信息光電子制造業(yè)“關鍵和共性技術協(xié)同研發(fā)，實現(xiàn)首次商業(yè)化”戰(zhàn)略任務的國家信息光電子創(chuàng)新中心在武漢正式掛牌成立。在目前國內光通信產業(yè)鏈科研和應用實力強，開發(fā)和驗證能力弱的背景下，國家信息光電子創(chuàng)新中心依托國內領先的芯片工藝開發(fā)和中試驗證平臺，希望能夠打通產學研之間的“死亡谷”，實現(xiàn)高端光芯片的自主可控。

  關鍵設施設備提升 提供高效對外服務

  傅焰峰表示，在III-V族光芯片試驗證平臺上，我們在已有的工藝上對光刻、外延、鍍膜等關鍵設施和裝備進行了補充和提升，掌握了完整的高速DFB、VCSEL、EML激光器、探測器芯片等InP、GaAs光芯片加工工藝，完全具備對外服務能力。

  硅光平臺方面有國內首套自動化8/12寸硅光晶圓篩檢系統(tǒng)以及高速硅基芯片測試系統(tǒng)。已經開始對中科院、華科、中山大學在內的20余家企業(yè)和高效提供對外服務。

  光電子封測平臺已建成手動和半自動耦合封裝系統(tǒng)，另外采購了全自動光電子芯片封裝系統(tǒng)。在光纖放大器和激光器測試上已經開始對外服務。

  應用技術開發(fā)平臺已建成國內領先的“超高速、超大容量、超長跨距”光傳輸技術驗證平臺，支持光器件的Pb/s級、萬km光纖傳輸系統(tǒng)功能驗證，可提供光纖激光器、光學傳感、空間光等新興應用的測試和驗證服務。

  成功研制首款 100G硅光芯片 2020年Q1 400G硅光模塊送樣

  在成果方面，創(chuàng)新中心研制出國內首款1*100G硅光調制器芯片和模塊樣機，預計2020年第一季度實現(xiàn)400G硅光模塊送樣。另外在研的有25G波長可調光芯片，主要應用與5G前傳光模塊，創(chuàng)新中心與光迅聯(lián)合研制25G可調諧光發(fā)射組件，實現(xiàn)硅基調制器與III-V SG-DBR可調激光器芯片混合集成，于今年第三季度出樣，國際上尚未有同類商用產品問世。

  創(chuàng)新中心還與中山大學蔡鑫倫團隊聯(lián)合研發(fā)超高速LN薄膜光調制器芯片，單通道調制速率達120Gbaud NRZ，220Gb/s PAM4。與中科院祁楠團隊聯(lián)合開發(fā)5G光模塊所需的高速CMOS TIA和驅動器芯片。隨后在國內率先完成50Gb/s PAM4硅基光電子集成，相關成果已投稿IEEE JSSC特邀報道。

  整合產業(yè)資源 協(xié)同發(fā)展

  國家信息光電子創(chuàng)新中心成立后，重點針對我國“缺芯”問題，重點補充提升平臺的關鍵設施，裝備及封裝、檢測能力。經過了一年多的發(fā)展，攻克了100G硅光收發(fā)芯片的研制和生產，為企業(yè)和高校提供優(yōu)質對外服務，未來也將充分整合產業(yè)鏈資源，與業(yè)界同行廣泛合作，為提高芯片國產供給率貢獻出自己的力量!