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“國(guó)產(chǎn)芯片”有望實(shí)現(xiàn)彎道超車

摘要:國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展之路,除了遵循摩爾定律,研發(fā)硅芯片外,或許能依靠石墨烯、光量子等新材料芯片的研發(fā),實(shí)現(xiàn)芯片賽道的彎道超車。

  ICC訊 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)近日在官方宣布郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在光量子芯片研究中取得重大進(jìn)展,首次在拓?fù)浔Wo(hù)光子晶體芯片中實(shí)現(xiàn)量子干涉,讓我們?cè)趯?shí)現(xiàn)光量子芯片的量產(chǎn)道路上更近一步!

  目前,芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,推出新的架構(gòu)是一大解決方案,但更“根本”的辦法,或許是找到能夠替代硅的新材料。

  新材料具備全新的物理機(jī)制,將實(shí)現(xiàn)全新的邏輯、存儲(chǔ)及互聯(lián)概念和器件,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的革新。包括石墨烯、磷烯、硼烯在內(nèi)的二維超導(dǎo)材料、以及由拓樸絕緣體構(gòu)成的量子芯片,都是與經(jīng)典芯片完全不同的研究方向。

  而郭光燦院士團(tuán)隊(duì)的任希峰研究小組與中山大學(xué)董建文、浙江大學(xué)戴道鋅等研究組的合作研發(fā),便是繞開摩爾定律,對(duì)光量子芯片這一全新技術(shù)路徑的探索。

  (作者:陳浩  責(zé)編:Martin)

內(nèi)容來(lái)自:中關(guān)村在線
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