ICC訊 近日,據臺灣相關媒體報道,臺積電2nm芯片技術研發(fā)已取得重大突破,找到了實現(xiàn)的路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around,GAA)。按照臺積電的計劃,其2nm制程芯片將在2023年-2024年間推出。
臺積電3nm制程芯片預計明年上半年在南科18廠P4廠試產,并將于2022年量產。臺積電今年4月曾表示,3nm制程芯片仍會沿用FinFET(鰭式場效應晶體管)技術,主要考慮是客戶在導入5nm制程后,采用同樣的設計即可導入3nm制程,可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產品。
據悉,臺積電的競爭對手三星已決定在3nm技術領域率先導入GAA 技術,并宣稱到2030年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位。臺積電在2nm技術研發(fā)上取得突破,再次獲得對三星的相對領先優(yōu)勢。