臺(tái)積電將在美國(guó)再建一座3nm晶圓廠(chǎng)！

  ICC訊  8月20日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電近期傳出將展開(kāi)評(píng)估在美投資興建第二座晶圓廠(chǎng)，擬切入3納米制程，建廠(chǎng)時(shí)程約2年后。對(duì)此，臺(tái)積電8月19日表示，不回應(yīng)市場(chǎng)傳聞。

  此前，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州 5 納米新廠(chǎng)，已于7月底上梁，預(yù)計(jì)一期于2024年量產(chǎn)，第一期月產(chǎn)能2萬(wàn)片。

  不過(guò)，由于臺(tái)積電亞利桑那州廠(chǎng)土地面積廣大，占地約445公頃，先前就多次傳出，臺(tái)積電將擴(kuò)大亞利桑那州投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)建6座晶圓廠(chǎng)。

  臺(tái)積電總裁魏哲家去年也曾說(shuō)，臺(tái)積電已在亞利桑那州取得大范圍土地，以維持彈性，進(jìn)一步擴(kuò)建是有可能的，但首要任務(wù)是使第一期廠(chǎng)房順利量產(chǎn)，接著根據(jù)營(yíng)運(yùn)效率、成本效益，及客戶(hù)需求來(lái)決定下一步計(jì)劃。

  據(jù)了解，臺(tái)積電的3nm工藝仍將采用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，而三星的3nm節(jié)點(diǎn)采用GAA晶體管架構(gòu)。三星甚至領(lǐng)先于臺(tái)積電，將3nm工藝技術(shù)轉(zhuǎn)向量產(chǎn)。

  消息人士指出，AMD、蘋(píng)果、博通、英特爾、聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)和高通等廠(chǎng)商均已向臺(tái)積電下達(dá)3nm芯片訂單。但三星的3nm GAA工藝尚未吸引主要芯片供應(yīng)商的訂單。