ICC訊 2020年數(shù)據(jù)中心的發(fā)展成為拉動光通信行業(yè)全年發(fā)展的主要動力之一。近年來數(shù)通市場是光通信產(chǎn)業(yè)鏈上各企業(yè)的必爭之地。華工正源作為通信光模塊的領先企業(yè),在數(shù)通領域有著深入的發(fā)展和巨大競爭力?!暗?9屆訊石光纖通訊市場暨技術專題研討會”上,武漢華工正源光子技術有限公司有源事業(yè)部總經(jīng)理助理、成都研發(fā)中心主任胡云關于《數(shù)據(jù)中心光模塊的需求和發(fā)展趨勢》的報告展示了華工正源在數(shù)據(jù)中心的全系列解決方案和綜合實力,介紹了數(shù)據(jù)中心市場的規(guī)模及光模塊演進及未來展望,通過對比不同方案件的優(yōu)劣窺探未來發(fā)展趨勢。在國家大力發(fā)展新基建的浪潮下,2021年,新一輪政策利好將助推我國數(shù)據(jù)中心建設迎來新發(fā)展機遇。未來,數(shù)據(jù)中心要從多方面提升規(guī)模、容量且可持續(xù)發(fā)展能力,數(shù)據(jù)中心建設發(fā)展對光模塊影響巨大。
關于華工正源
華工正源成立于2001年,是華工科技旗下核心戰(zhàn)略子公司,在武漢、成都、美國、深圳設有研發(fā)中心與銷售中心,公司專注于無線前傳、中傳、回傳,數(shù)據(jù)中心光模塊,特種數(shù)據(jù)光模塊,智能網(wǎng)絡通訊設備解決方案。華工正源連續(xù)15年蟬聯(lián)中國光器件最具競爭力企業(yè)十強,中國5G光模塊首單發(fā)布者,公司擁有超大型光模塊生產(chǎn)基地,月產(chǎn)能達到300萬只,擁有核心專利超過160件。
基礎設施投入增長拉動光模塊需求
隨著技術的發(fā)展,通信行業(yè)基礎設施支出正在發(fā)生巨大變化,近年來,企業(yè)網(wǎng)在傳統(tǒng)的硬件IT和軟件投入上正在減少,并更青睞于外包給云服務商。而在數(shù)據(jù)中心基礎設施的投入迅速增長,加上國內加快新基建的建設,行業(yè)研究機構預計數(shù)據(jù)中心建設未來幾年保持20%以上的增長。國外方面,TOP5云廠商2020年第一季度資本支出為264億美元,比2019同比增長56%。
基礎設施支出的增長正在影響全球光模塊光器件的市場,數(shù)據(jù)中心朝著大型超大型方向發(fā)展,流量迅猛增長驅動光模塊需求的增長,光模塊的速率從100G到200G向400G演進,根據(jù)行業(yè)研究機構統(tǒng)計,預計在2021到2025年,數(shù)據(jù)中心光模塊市場會恢復兩位數(shù)的增長。
光電芯片協(xié)同提升推動光模塊速率快速升級
在數(shù)據(jù)中心光模塊的技術演進方面,數(shù)據(jù)中心對光模塊的要求第一為高速率,低成本,低功耗,小封裝,小功率。數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡架構正呈扁平化方向演進,這種演進解決的時延和拓展的問題,但使東西向流量的劇增,從而需要更多更高速的連接。光模塊速率的提升需要光電芯片速率的協(xié)同提升相互配合,2013年25G的NRZ Serdes 第一次流片,推動了2015年100G QSFP28模塊的批量出貨;2017年50G PAM4 Serdes的第一次流片推動了2019年第一次400G系列光模塊的系列商用出貨;2020年100G Serdes的流片也將帶動800G速率光模塊的發(fā)展。預計在2023年200G Serdes流片將推動1.6T光模塊的演進。數(shù)據(jù)中心的演進分為三代,25GNRZ Serdes、 50G PAM4、 100/200G Serdes對應了100G系列光模塊、400G、800G光模塊。
數(shù)據(jù)中心的連接分為數(shù)據(jù)中心內部的互連及數(shù)據(jù)中心之間的DCI互連,不同距離之間的連接需要各種各樣的光模塊解決方案。光模塊的演進除了速率的提升,調制信號從NRZ到PAM4到相干,光通道從1×2向1×4及1×8演進,從發(fā)貨的數(shù)據(jù)上看,1×4更多。
基于50G serdes,對應100G/400G光模塊,100米短距離傳輸用VCSEL的光芯片,針對單波100G的2公里到500米的主要還是硅光和EML的方案。DML方案由于光芯片線性度色散的問題還在優(yōu)化,沒有成熟。針對不同的光芯片所需的工藝要求不同,對于多模VCSEL主要為COB,對于EML和硅光為COC耦合。硅光耦合的容差比單模更難。硅光的工藝上的難度有一定挑戰(zhàn)。
400G系列光模塊中不同光芯片之間的優(yōu)劣比較:
從帶寬上,EML帶寬目前研究表明已經(jīng)能夠證實可以達到60GHz,而硅光MZM可以達到50GHz。
傳輸速率上,VCSEL在短距離100M,EML可以支持2公里,10公里和40公里。硅光在500M和2公里比較有優(yōu)勢。
從成本上說EML相對貴一些,批量能力來說,硅光的基于COMS平臺可以實現(xiàn)光電混合集成,量產(chǎn)能力高將會有保障。
400G系列光模塊方案總結:
基于VCSEL芯片的光模塊產(chǎn)品有用于短距100m的400G SR8/SR4.2的產(chǎn)品;基于EML芯片光模塊產(chǎn)品有100G、100G DR1/FR1/LR1/ER1、400G DR4/FR4、400G LR4;基于MZM(SiPh)芯片的產(chǎn)品為100G DR1/FR1、400G DR4、400G-ZR。
對比單波100G的硅光方案和EML方案的功耗和性能的差異, 單波100G EML的功耗在4.5W,單波100G硅光的方案功耗控制在3.5W以內,同時來說,兩款產(chǎn)品在光眼圖性能上,硅光一樣可以滿足單波100G和400G DR4的性能要求。硅光的優(yōu)勢在于集成性高,可以集成MZM+SSC+PD。硅光在于缺點耦合插損大,需要搭配大功率CW、DFB。
400G DR4 EML 對比 SiPh,400G DR4 EML功耗在 12W;400G DR4 SiPhL功耗在 10W以內。DR4硅光的優(yōu)勢在于僅需要兩個CW DFB 、支持多通路集成、4CH MZM+SSC+4CH P,所以功耗和成本有優(yōu)勢。
數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)DCI需求快速增長,基于相干技術已成為100 Gb/s、200 Gb/s以及400 Gb/s長距離傳輸?shù)臉藴始夹g方案,從最初面向超長距離的解決方案向包括城域網(wǎng)/接入網(wǎng)的傳輸市場和近年來特別關注的數(shù)據(jù)中心間高速互聯(lián)市場快速推進 400G ZR標準已經(jīng)發(fā)布,ZR+正在推進。
400G-ZR解決方案,在2020年訊石研討會上胡云列舉了三種方案對比,總的來說硅光相干集成和收發(fā)集成是比較好的低成本的解決方案。
展望800G 預計2021年推出產(chǎn)品
胡云認為下一代800G可插拔光模塊,分為三步演進:
Step1:基于100G Serdes, DSP PAM4 8 in 8 out, 光口100G/l ,8x100G 產(chǎn)品 ---2021推出
Step2:基于100G Serdes + Gearbox, DSP PAM4 8 in 4 out,光口200G/l ,4x200G 產(chǎn)品 ---2023推出
Step3:基于200G Serdes, DSP PAM4 4 in 4 out, 光口200G/l ,4x200G 產(chǎn)品 ---2025推出。
基于200G 光電芯片的展望,預計2022年200G/l 相關的光電芯片才逐步Ready,推進1.6T (8*200G)可插拔光模塊才可實現(xiàn),從而推進102.4T交換機的發(fā)展?;?00G/l光器件的發(fā)貨會持續(xù)大約10年;基于100G/l光器件的發(fā)貨會持續(xù)大約10年。
目前,正源擁有100G全系列產(chǎn)品正在大批量出貨,400G產(chǎn)品正在小批量階段,用于數(shù)據(jù)中心解決方案的800G DR8、100G DR1/DR1+光模塊、用于5G承載中回傳的200G LR4/ER4光模塊在CIOE 2020展會上隆重推出,受到業(yè)內廣泛關注。華工正源的單波100G 技術已經(jīng)具備,為8*100G光模塊解決方案做有力支撐。