英特爾宣布與ARM合作代工業(yè)務(wù)

  ICC訊  近日，英特爾代工服務(wù)事業(yè)部和ARM宣布簽署了一項涉及多代前沿系統(tǒng)芯片設(shè)計的合作協(xié)議。該協(xié)議旨在使芯片設(shè)計公司能夠利用Intel 18A制程工藝開發(fā)低功耗計算系統(tǒng)級芯片(SoC)。此次合作將首先聚焦于移動系統(tǒng)級芯片的設(shè)計，未來有望擴展到汽車、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、航空和政府應用領(lǐng)域。ARM的客戶在設(shè)計下一代移動系統(tǒng)級芯片時將受益于出色的Intel 18A制程工藝技術(shù)，該技術(shù)帶來了全新突破性的晶體管，有效地降低了功耗并提高晶體管性能。與此同時，他們還將受益于英特爾代工服務(wù)強大的制造能力。

  英特爾的IDM 2.0戰(zhàn)略之一便是在全球各地投資領(lǐng)先的制造生產(chǎn)能力，以滿足持續(xù)且長期的芯片需求。此次的合作將為從事基于Arm CPU內(nèi)核設(shè)計移動SoC的代工客戶提供一個有韌性的全球供應鏈。通過英特爾制程工藝解鎖ARM的尖端計算產(chǎn)品組合和世界級IP，ARM的合作伙伴將能充分利用傳統(tǒng)的晶圓制造，還包括封裝、軟件和芯粒在內(nèi)的英特爾開放式系統(tǒng)級代工模式。

  英特爾代工服務(wù)事業(yè)部和ARM將進行設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化。其中，芯片設(shè)計和制程工藝將被一同優(yōu)化，以改善針對Intel 18A制程工藝技術(shù)的ARM內(nèi)核的功耗、性能、面積和成本。Intel 18A提供了兩項突破性技術(shù)——用于優(yōu)化電能輸送的PowerVia以及用于優(yōu)化性能和功耗的全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)RibbonFET。英特爾代工服務(wù)事業(yè)部和ARM將開發(fā)一種移動參考設(shè)計，從而為代工客戶展示軟件和系統(tǒng)知識。隨著行業(yè)從設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化向系統(tǒng)工藝協(xié)同優(yōu)化演進，ARM和英特爾代工服務(wù)事業(yè)部將攜手合作，充分利用英特爾獨特的開放式系統(tǒng)級代工模式，通過封裝和芯片對應用和軟件平臺進行優(yōu)化。