SiFotonics發(fā)布首款可量產(chǎn)CMOS單片集成的光接收器芯片TP1001

        SiFotonics Technologies Co., Ltd.于近日率先發(fā)布了具有2.5Gb/s速率、運(yùn)用于光通信的接收器單片集成芯片TP1001。這款芯片采用工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的8英寸硅晶圓制造，集成了應(yīng)變鍺光電探測器和CMOS跨阻放大器(TIA)。目前，SiFotonics已經(jīng)在兩個全球一流的半導(dǎo)體晶圓制造專工廠成功制造出此芯片。 

        SiFotonics CEO潘棟博士談到，“目前，工業(yè)界生產(chǎn)光接收器都是依賴于兩個芯片來完成：用基于砷化鎵或磷化銦襯底材料的光電探測器和另一個跨阻放大器芯片裝配成ROSA。而SiFotonics克服了眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)，把這兩種功能在同一硅襯底上成功單片集成，并在世界一流的晶圓專工廠制造實(shí)現(xiàn)。我們很高興的宣布，這一款能夠?qū)崿F(xiàn)2.5Gb/s數(shù)據(jù)速率的TP1001集成接收器芯片已經(jīng)通過嚴(yán)格的功能和可靠性測試。據(jù)我們所知，這是世界上第一款成功運(yùn)用量產(chǎn)CMOS技術(shù)來實(shí)現(xiàn)單片集成的光接收器。這一創(chuàng)新的集成芯片運(yùn)用了美國麻省理工學(xué)院在硅基光電領(lǐng)域最先進(jìn)的研發(fā)成果。麻省理工學(xué)院在此領(lǐng)域已經(jīng)投入了多年的領(lǐng)先技術(shù)研發(fā)，在世界范圍內(nèi)享有盛譽(yù)。我們期望，運(yùn)用同一研發(fā)技術(shù)和制造程序，SiFotonics會在很短時間內(nèi)發(fā)布10Gb/s的集成芯片。 

        硅基光電技術(shù)領(lǐng)域權(quán)威, 美國麻省理工學(xué)院材料科學(xué)與工程Lionel C. Kimerling教授指出，“這款硅基光電集成芯片的成功是一個很大的成就！它代表的不僅僅是科技上的突破，同時也是制造程序和芯片設(shè)計的完美結(jié)合。” 

        SiFotonics市場和銷售副總裁Jack Yuan先生展望道，“TP1001為業(yè)界掀開了全新的一頁。由于我們可以采用同一CMOS制程把其他功能的專用芯片同TP1001集成，這一產(chǎn)品不但適用于電信傳送，同樣適合于數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域；更值得指出的是，TP1001芯片具有2.5Gb/s速率，能夠以低成本把光傳送數(shù)據(jù)交換效能引入到對成本非常敏感的應(yīng)用領(lǐng)域，諸如計算機(jī)互連和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。” 

        TP1001是一個2.5Gb/s光接收器單片集成芯片，通過在硅襯底上生長鍺的技術(shù)將光電探測器同CMOS TIA集成為一體。該款芯片將使用在光纖輸入的前端，它的功能是將接收的光信號轉(zhuǎn)換成為電信號，能夠覆蓋4個關(guān)鍵波長：650nm，850nm，1,310nm，和1,550nm。使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS 3.3V電源接口，具有-25dBm的靈敏度和0.9A/W的響應(yīng)度。其中TIA可提供300kΩ的典型差分增益，整個芯片功耗不超過132mW。該款芯片目前已經(jīng)有樣品可供試用，將于2010年6月進(jìn)入量產(chǎn)階段