三星高管：2納米芯片工藝占領(lǐng)先地位 五年內(nèi)將超越臺積電

  ICC訊 據(jù)韓國經(jīng)濟日報報道，三星電子芯片業(yè)務負責人本周表示，三星電子將在五年內(nèi)超越規(guī)模更大的代工競爭對手臺積電，在芯片加工領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。

  三星半導體業(yè)務總裁兼負責人Kyung Kye-hyun稱，雖然三星目前在芯片加工技術(shù)上落后于臺積電，但該公司有望在2納米加工節(jié)點上領(lǐng)先這家中國臺灣公司。

  “老實說，我們的代工技術(shù)比臺積電落后一兩年。然而，一旦臺積電加入到2納米技術(shù)的競爭中，三星將引領(lǐng)潮流，”Kyung Kye-hyun在韓國科學技術(shù)院的一次演講中說到?！霸谖迥陜?nèi)，我們可以超越臺積電?！?

  去年，三星電子在全球率先基于全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around,GAA)晶體管結(jié)構(gòu)量產(chǎn)了3納米芯片。GAA架構(gòu)是下一代代工微細加工工藝，是一項關(guān)鍵技術(shù)，可以改善靜電特性，從而提高性能，降低功耗和優(yōu)化芯片設計。

  三星表示，與之前的處理節(jié)點相比，3納米GAA技術(shù)的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面積減少了45%。

  三星電子此前表示，計劃從2025年開始量產(chǎn)基于GAA架構(gòu)的2納米芯片。

  臺積電和其他代工企業(yè)使用的是一種被稱為鰭式場效應晶體管(FinFET)工藝的技術(shù)。由于其結(jié)構(gòu)酷似魚的背鰭，因此也被稱為鰭式晶體管。

  報道稱，臺積電計劃從2納米節(jié)點開始將GAA技術(shù)應用于芯片制造工藝。

  “三星的4納米技術(shù)落后臺積電兩年，而我們的3納米技術(shù)落后大約一年。但當臺積電進入2納米工藝時，情況將發(fā)生變化。”Kyung Kye-hyun說。“客戶對我們的GAA技術(shù)很滿意。幾乎所有的大公司都在與我們合作，盡管我不能透露他們的名字。三星的代工客戶群正在增長?！?

  封裝技術(shù)

  Kyung Kye-hyun表示，三星也在努力提高其芯片封裝技術(shù)，以保持領(lǐng)先于競爭對手。

  “隨著半導體工藝小型化變得越來越困難，性能最終將通過封裝來提高。”他說。

  據(jù)稱，三星去年成立了一個先進的封裝團隊，該公司預計在3-4年內(nèi)會有顯著提升。

  這位三星高管還表示，在不久的將來，存儲芯片在人工智能(AI)服務器中的重要性將超過英偉達的GPU。

  “到2028年，將有可能出現(xiàn)以存儲半導體為中心的超級計算機?！彼f。

  中國市場

  對于美國對芯片制造商在華業(yè)務的政策收緊，他表示三星可以承受。

  他表示，“雖然我們在中國西安的工廠投資需要獲得批準，但我認為這不會對我們的整體業(yè)務造成任何重大壓力。我們將努力化危為機?！?

  華盛頓和北京之間不斷升級的半導體競爭給等全球芯片制造商帶來了風險，包括三星及其本土競爭對手SK海力士。一名美國政府高級官員今年2月表示，美國可能會對三星和SK海力士在華可以發(fā)展的技術(shù)水平設定上限。

  在中國市場，三星電子在西安設有一家NAND閃存工廠，在蘇州則運營著一家芯片封裝工廠。三星西安工廠占該公司全球NAND產(chǎn)量的近40%。自2021年以來，三星已在西安工廠投資258億美元。

  去年，三星公布其中國業(yè)務的銷售收入為 35.63 萬億韓元(272億美元)。