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美國芯片法案下 臺積電恐首當其沖

摘要:根據(jù)《芯片法案》新細則來看,臺積電獲美方補貼后十年內(nèi),大陸Fab16南京廠的16/12nm以及28/22nm產(chǎn)能擴充將受限,且當中85%產(chǎn)出須滿足大陸當?shù)厥袌鲂枨?,加上美國出口?guī)范要求跨國晶圓代工業(yè)者需申請設(shè)備進口許可證等,將降低臺積電未來在大陸的投資意愿。

  ICC訊  據(jù)經(jīng)濟日報報道,TrendForce13日報告顯示美國《芯片法案》補貼細則明文規(guī)定獲補助者未來十年在中國大陸、朝鮮、伊朗與俄羅斯等,將被限制包含先進制程與成熟制程在內(nèi)的相關(guān)投資活動,臺積電恐首當其沖。

  TrendForce認為,根據(jù)《芯片法案》新細則來看,臺積電獲美方補貼后十年內(nèi),大陸Fab16南京廠的16/12nm以及28/22nm產(chǎn)能擴充將受限,且當中85%產(chǎn)出須滿足大陸當?shù)厥袌鲂枨螅由厦绹隹谝?guī)范要求跨國晶圓代工業(yè)者需申請設(shè)備進口許可證等,將降低臺積電未來在大陸的投資意愿。

  根據(jù)美國商務(wù)部的資料,針對美國的《芯片法案》,美國從3月31日開始接受前端芯片制造和封測產(chǎn)業(yè)的投資申請,5月1日起接受成熟制程的申請,6月26日開始接受所有項目的申請,美國《芯片法案》的影響將逐漸顯現(xiàn)。

  據(jù)臺媒經(jīng)濟日報10日報道,臺積電表示正在與美國政府就其旨在促進美國半導體制造的《芯片法案》細則進行溝通,該公司也表達了在補貼標準方面的擔憂。

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文章標題:美國芯片法案下 臺積電恐首當其沖
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