II-VI在5G無線領(lǐng)域取得硅薄膜金剛石技術(shù)新突破

  Iccsz訊 美國時(shí)間1月4日，工程材料和通信器件領(lǐng)導(dǎo)者II-VI公司宣布，一項(xiàng)應(yīng)用在5G無線通信領(lǐng)域的硅薄膜金剛石技術(shù)獲得突破，這項(xiàng)成果是在與美國南佛羅里達(dá)州大學(xué) (USF)的聯(lián)合研究中獲得。

  如今，移動(dòng)通信設(shè)備商正計(jì)劃用5G無線技術(shù)來提高他們的高速寬帶服務(wù)，比起現(xiàn)有技術(shù)所能達(dá)到的性能，大帶寬和高功率器件的需求將更加急迫。II-VI公司和USF聯(lián)合研究完成了項(xiàng)目的第一階段，這個(gè)研究項(xiàng)目最早于2016年6月啟動(dòng)，旨在希望通過使用硅薄膜金剛石技術(shù)來發(fā)展一種新技術(shù)平臺(tái)，讓下一代高速電子器件能夠運(yùn)用在5G手機(jī)中。

  II-VI公司平臺(tái)技術(shù)發(fā)展孵化部門總經(jīng)理Dr. Wen-Qing Xu表示：“盡管II-VI公司是工程材料和通信薄膜技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，但我們與USF的合作將加快技術(shù)的創(chuàng)新，幫助我們?cè)?G無線器件市場(chǎng)爆發(fā)前做好充分準(zhǔn)備。”

  據(jù)了解，II-VI公司和USF的合作研究獲得來自佛羅里達(dá)高新通路委員會(huì)MGRP的補(bǔ)助支持，研究將關(guān)注原型器件的特點(diǎn)和器件設(shè)計(jì)、建模與制造。

  佛羅里達(dá)州電子工程學(xué)院副教授Dr. Jing Wang表示：“通過這項(xiàng)合作研究，USF的研究團(tuán)隊(duì)可以提升在微機(jī)電硅薄膜金剛石領(lǐng)域的專業(yè)度，同時(shí)可以快速向II-VI公司提供技術(shù)方案。MGRP對(duì)本項(xiàng)目的支持，也是近年來十多個(gè)項(xiàng)目之一?！?

  對(duì)II-VI公司來說，新硅薄膜金剛石技術(shù)平臺(tái)將完善該公司在高速無線應(yīng)用領(lǐng)域GaAs和SiC工程材料的產(chǎn)品組合。