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三安陳文欣:化合物半導(dǎo)體的5G相關(guān)應(yīng)用

摘要:IMT-2020(5G)峰會在深圳召開,向國內(nèi)外業(yè)界集中發(fā)布我國最新5G研究和試驗(yàn)成果。三安集成電路有限公司資深總監(jiān)陳文欣做了主題為《化合物半導(dǎo)體的5G相關(guān)應(yīng)用》演講。

  ICCSZ訊 IMT-2020(5G)峰會在深圳召開,向國內(nèi)外業(yè)界集中發(fā)布我國最新5G研究和試驗(yàn)成果。三安集成電路有限公司資深總監(jiān)陳文欣做了主題為《化合物半導(dǎo)體的5G相關(guān)應(yīng)用》演講。

  以下為演講全文:

  很榮幸有這么個機(jī)會能夠加入到5G推進(jìn)的大家庭當(dāng)中,誠如剛剛王院長所說的,其實(shí)我們今天在座的各個單位,如果說解決的是5G從系統(tǒng)端到標(biāo)準(zhǔn)化的過程,三安解決的就是如主題二5G解決方案中芯片制造的環(huán)節(jié)。

  三安目前是國內(nèi)第一家做化合物半導(dǎo)體的大規(guī)模制造平臺,這是三安整體的芯片制造策略。在器件制造的環(huán)節(jié)當(dāng)中,從原材料的晶片上有足夠的自控能力。從LED芯片起家,目前是全世界產(chǎn)能規(guī)模最大的半導(dǎo)體廠商。從材料上看,從襯底的材料,藍(lán)寶石部分是用于功率級的碳化硅,襯底是用于很重要的在基站部分的射頻前端的氮化鎵的器件材料。對于砷化鎵,目前終端手機(jī)需要用到小功率的PA所需要的基礎(chǔ)材料。磷化銦是在5G商用時代所需頻點(diǎn)需要用到的材料。

  此外,三安在外延的部分擁有全系的化合物半導(dǎo)體主流制造工藝,我們擁有467 MOCD制造能力。在器件的制造端,我們有7個生產(chǎn)基地,2017年成立了廈門三安集成電路有限公司,這個公司主要會在化合物的射頻芯片、射頻前端,電力電子,以及供通信部分的應(yīng)用。三安使用了將近18年的時間,打通了化合物半導(dǎo)體制造平臺上游的環(huán)節(jié),希望給友商和無線通信領(lǐng)域提供我們的貢獻(xiàn)。

  從全球的市占率來講,三安在中國大陸地區(qū)的市占率達(dá)到55%。全球三分天下,中國臺灣的廠商占1/3,大陸的廠商占1/3,另外的是一些歐美的廠商。由于在化合物領(lǐng)域的基礎(chǔ),所以我們走進(jìn)了集成電路的行業(yè)。三安供電成立在2000年,目前已經(jīng)有6000多位以上的在職高級員工,目前鎖定的市場是在光通信,在IF前端的射頻,以及電力電子三大主營業(yè)務(wù)板塊,目前在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有數(shù)千件從芯片外延制造到全產(chǎn)業(yè)的主流專利積累。在這個領(lǐng)域,我們的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域是國內(nèi)最領(lǐng)先的。

  我們目前利用全世界的優(yōu)秀人才,在全世界成立了五大研發(fā)中心,在美國洛杉磯、波士頓,這是在光通領(lǐng)域的研發(fā)中心,以及大功率照明的研發(fā)中心。在北歐有碳化硅襯底的制造和研發(fā)中心。在日本東京成立了射頻前端的濾波器的制造和研發(fā)中心。我們會把所有的力量集中放在大陸國內(nèi),最大的研發(fā)中心位于廈門。

  這是三安集成電路在2014年成立的工廠,這個工廠目前投資30億人民幣,項(xiàng)目規(guī)模是在3萬片英寸的化合物芯片,月產(chǎn)能30萬片,目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?;闹圃旄慨a(chǎn)。

  三安化合物半導(dǎo)體提供給無線通信,5G產(chǎn)業(yè)的一些關(guān)鍵技術(shù)。HBT和PM的工藝,是三安主流量產(chǎn)的工藝,主要應(yīng)用于終端小功率的器件應(yīng)用。未來我們持續(xù)在往前演進(jìn),會繼續(xù)開發(fā)0.1微米的,目前已經(jīng)接近量產(chǎn)的兩個工藝,0.45的氮化鎵,還有0.25的氮化鎵基礎(chǔ)工藝,主要用于大功率的基站部分的應(yīng)用。這個領(lǐng)域是目前整個業(yè)界相對的短板,從材料制造到芯片工藝制成,三安不斷的推進(jìn)與國外競爭廠商的步伐,很快會擁有自主可控的制造能力。未來,在2019年Q3完成基于磷化銦的射頻功放的應(yīng)用。

  早上鄔院長提到,在5G應(yīng)用當(dāng)中,對于光通信的需求也是器件的核心需求,在2019年第三季會推出相應(yīng)的對25G赫茲長波段的器件,用于未來的數(shù)據(jù)中心和骨干網(wǎng)接入的重要器件。

  接下來給大家介紹幾大板塊,在氮化鎵部分,三安會在晶圓制造和器件制造。對襯底材料的把握,到外延的生長,到晶圓的制造,到后面是器件的封裝,以及可靠性測試,最后是用戶系統(tǒng)級的驗(yàn)證。三安在前端給大家提供成套以及定制化的服務(wù)。目前第一片6英寸的碳化硅機(jī)氮化鎵的射頻器件。

  三安在日本成立了關(guān)于濾波器的研發(fā)中心,未來會從Z和B的濾波器入手,給產(chǎn)業(yè)提供一站式射頻服務(wù),提供濾波器解決方案。光通信,三安在5G應(yīng)用部分,我們對未來的感知,對物聯(lián)網(wǎng)帶來的新時代的到來,我們布局了關(guān)于光通信領(lǐng)域制造平臺的打造和能力。我們在3D成像芯片的技術(shù)上做了充分的布局,我們提供從短波段到中長波段,光通信、數(shù)據(jù)中心的FD、BFD,未來還會提供用于前端接收的100G的解決方案。三安打造全波段、全光譜的制造能力。

  對于未來的5G,我們希望盡快的在5G商用到來之前,把我們自己的技術(shù)與器件,在在座的每個客戶端得到充分的認(rèn)可和驗(yàn)證。三安在整個規(guī)?;圃焐系牟季?,對于三安平臺來講,我們的價值就是在規(guī)?;圃臁T谖磥砀=ǖ哪习参覀円?guī)劃了新的工業(yè)量產(chǎn)級的項(xiàng)目,這個項(xiàng)目投資額會達(dá)到52億美金,項(xiàng)目以2017年12月份啟動,目前正在大規(guī)模的建設(shè)當(dāng)中。主要是在以下的幾大領(lǐng)域,果斷LET升華甲基、氮化鎵機(jī)的芯片,濾波器產(chǎn)業(yè)化的制造基地,高功率的類色制造,高功率的化合物便利電子,高端的產(chǎn)業(yè)封裝。整個產(chǎn)業(yè)制造是三安打造的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局。

  三安可以提供從短波段的3D所需要的器件,以及到長波段需要的光通信的器件接口的芯片。從LED的應(yīng)用,再到功率型的化合物半導(dǎo)體在射頻前端,以及射頻氮化鎵應(yīng)用的整套解決方案。希望給在座的友商提供整套的5G布局解決方案。

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關(guān)鍵字: 三安 陳文欣
文章標(biāo)題:三安陳文欣:化合物半導(dǎo)體的5G相關(guān)應(yīng)用
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