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臺積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時間或?qū)⑼七t

摘要:據(jù)臺媒報道,業(yè)內(nèi)人士透露,目前臺積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發(fā)進度都將放緩。

  ICC訊 據(jù)臺媒報道,業(yè)內(nèi)人士透露,目前臺積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發(fā)進度都將放緩。

  此前,按臺積電公布的計劃,3nm將于今年完成認證與試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn),甚至業(yè)界有傳聞稱蘋果已率先包下臺積電3nm初期產(chǎn)能,成為臺積電3nm的第一批客戶。

  此前業(yè)界預計臺積電三星的3nm工藝都會在2022年實現(xiàn)量產(chǎn),而臺積電有望領先三星至少半年。

  此前臺積電曾宣稱,其3nm工藝會比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%,功耗將降低20%-25%。

  臺積電2020年營收持續(xù)創(chuàng)新高,臺積電董事長劉德音此前曾表示,為提前布局3nm,臺積電已累計投資超過2萬億元新臺幣,目標是3nm量產(chǎn)時,12 英寸晶圓月產(chǎn)能超過60萬片。而為了爭奪市場,三星晶圓代工業(yè)務準備投入1160億美元,以實現(xiàn)在3nm工藝上趕超臺積電。

  雖然三星臺積電都在研發(fā)3nm工藝,但兩者采用的技術并不相同,臺積電采用了成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET),而三星則采用了環(huán)繞柵極晶體管技術(GAA)。

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關鍵字: 臺積電 三星 芯片
文章標題:臺積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時間或?qū)⑼七t
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