II-VI高意推出最新雙結VCSEL陣列 面向下一代3D傳感應用

  ICC訊 (編譯：Aiur)近日，領先的半導體激光器和消費電子微光學提供商II-VI高意推出最新的雙結(double-junction)垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)陣列，是其多結(multi-junction)VCSEL陣列平臺面向世界下一代3D傳感應用的首款產(chǎn)品。

  諸如消費電子、自動駕駛和工業(yè)應用在內(nèi)的眾多市場對3D傳感的應用在持續(xù)增長，驅(qū)動了探測范圍廣闊且低功耗、小型化和低成本的深度傳感器的需求增長，II-VI高意的全新VCSEL陣列是基于一種雙結技術，可將每個VCSEL激光器的輸出功率放大一倍，相比于現(xiàn)有的單結技術，將功率轉(zhuǎn)化效率提升了56%。這種技術可以提供多種益處，例如高輸出功率帶來更深更遠的探測能力，同時減少功耗，以及更小尺寸帶來更低的成本并實現(xiàn)更不起眼的設計。

  II-VI高意光電子和RF器件業(yè)務集團高級副總裁Dr. Julie Eng表示：“一直以來，我們與客戶建立了牢固的合作伙伴關系，通過密切的合作得以開發(fā)出長期技術和產(chǎn)品發(fā)展路線，提供突破性的解決方案并不斷提升3D感應的用戶體驗。幾年前，我們成功地將垂直集成的GaAs光電技術平臺從3英寸擴展到6英寸，幫助我們進一步縮短開發(fā)周期，并推出新產(chǎn)品來滿足繁榮的市場窗口?，F(xiàn)在，我們將再次發(fā)展該平臺，伴隨著向雙結技術的飛躍，我們相信這將釋放令人興奮的新案例，例如在面向世界的應用中更深的傳感深度以及實現(xiàn)AR和VR消費產(chǎn)品的無縫集成應用。”

  II-VI高意雙結VCSEL陣列在940nm波長發(fā)射，其陡峭的斜率可實現(xiàn)非常短的脈沖，具備很高的峰值功率。這種VCSEL陣列設計和單結陣列一樣用于低成本非氣密封裝，通過增加每顆芯片的發(fā)射器數(shù)量，以可靠、經(jīng)濟高效地擴展總體功率。新產(chǎn)品已在II-VI高意垂直集成6英寸平臺上進行量產(chǎn)。

  II-VI高意豐富的3D傳感應用產(chǎn)品自核包括衍射光學元件(DOEs)、薄膜濾波片，面向大批量應用以晶圓規(guī)模進行制造。DOE平面鏡和透鏡組陣列準直、聚焦或變化VCSEL陣列的光束。DOE分路器將輸入光束分成多個輸出光束，濾波片可用于改善圖像傳感器陣列的信噪比。II-VI高意的VCSEL陣列可以芯片形式提供，也可以與DOE集成在表面貼裝(surface-mount)技術封裝中。

  II-VI高意將在3月6-11日舉辦的2021 SPIE光子西部論壇上展示其3D傳感應用的激光和光學產(chǎn)品線組合。