美國兩大芯片巨頭，宣布聯(lián)手

  ICC訊  英特爾表示，其工廠將開始生產高通公司的芯片，并公布了一份擴大新代工業(yè)務的路線圖---要在2025年追趕上臺積電和三星電子。

  英特爾稱，公司將使用日后推出的20A制程工藝來生產高通芯片，但沒有披露它將生產高通的哪款產品以及首批芯片的推出時間。英特爾20A工藝定于2024年發(fā)布，它將推出新的晶體管架構RibbonFET。

  除高通外，亞馬遜云計算服務AWS也將與英特爾代工服務合作，使用英特爾的封裝解決方案，但英特爾并不直接為亞馬遜生產芯片。

  英特爾還表示，預期將在2025年重新奪回芯片制造領先優(yōu)勢。

  英特爾技術專家詳述了以下路線圖，其中包含新的節(jié)點命名和實現(xiàn)每個制程節(jié)點的創(chuàng)新技術：

  ① 基于FinFET晶體管優(yōu)化，Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產品將會采用Intel 7工藝，之后是面向數據中心的Sapphire Rapids預計將于2022年第一季度投產。

  ② Intel 4完全采用EUV光刻技術，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進，Intel 4將在 2022 年下半年投產，并于 2023年出貨，這些產品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數據中心的Granite Rapids。

  ③ Intel 3憑借FinFET的進一步優(yōu)化和在更多工序中增加對EUV使用，較之Intel 4將在每瓦性能上實現(xiàn)約18%的提升，在芯片面積上也會有額外改進。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關產品生產。

  ④ Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。RibbonFET是英特爾對GAA(Gate All Around)晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET 以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現(xiàn)與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。Intel 20A預計將在2024年推出。英特爾也很高興能在Intel 20A制程工藝技術上，與高通公司進行合作。

  ⑤ 2025 年及更遠的未來：從Intel 20A更進一步的Intel 18A節(jié)點也已在研發(fā)中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進行改進，在晶體管性能上實現(xiàn)又一次重大飛躍。英特爾還致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與 ASML 密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術取得成功，超越當前一代 EUV。

  本文轉載自：5G微信公眾平臺(ID：angmobile)