ICC訊 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星強(qiáng)攻晶圓代工先進(jìn)制程,繼 6 月底宣布 3nm 領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn)后,4nm 良率顯著提升,正著手?jǐn)U產(chǎn),預(yù)計(jì)今年 Q4 每月新增 2 萬(wàn)片產(chǎn)能,并規(guī)劃在 4nm 上豪擲約 50000 億韓元(約 258 億元人民幣)投資,與臺(tái)積電一較高下,欲從臺(tái)積電手上搶下更多高通、AMD、英偉達(dá)等大廠(chǎng)晶圓代工訂單。
對(duì)于相關(guān)消息,三星表示,無(wú)法確認(rèn)產(chǎn)量和投資增加問(wèn)題。臺(tái)積電昨天也未回應(yīng)相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手信息。
業(yè)界指出,三星晶圓代工產(chǎn)能過(guò)往約六成提供自家芯片生產(chǎn),其余承接委外訂單,今年積極擴(kuò)產(chǎn),并擴(kuò)大承接晶圓代工訂單,將自家芯片產(chǎn)能占比降至五成。研究機(jī)構(gòu)估計(jì),三星在先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模上仍?xún)H約臺(tái)積電五分之一。
三星電子采用 3nm 制程工藝所代工的首批芯片在 7 月 25 日正式發(fā)貨。他們的這一制程工藝,在業(yè)內(nèi)率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu),量產(chǎn)和發(fā)貨時(shí)間,都早于他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。
今年 4 月有消息稱(chēng),三星 4nm 節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能提升出現(xiàn)一些延遲,但已經(jīng)進(jìn)入預(yù)期的收益率曲線(xiàn);其 5nm 良品率進(jìn)入成熟期,這意味著良品率已經(jīng)進(jìn)入三星的預(yù)期水平。有傳聞稱(chēng),三星電子代工公司的 4nm 制程產(chǎn)量被推遲,導(dǎo)致英偉達(dá)等大客戶(hù)將代工公司的新一代產(chǎn)品委托給臺(tái)積電代工。