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長光華芯半導(dǎo)體激光器芯片亮相慕尼黑上海光博會

摘要:長光華芯強勢發(fā)布的56G PAM4 EML光通信芯片也在慕尼黑上海光博會首次亮相,同時展示的還有50G PAM4 VCSEL芯片,正式進入通信芯片高端市場賽道。

  ICC訊 炎炎夏日,馭光而行。7月11日~13日,2023上海慕尼黑光博會在國家會展中心(上海)如期舉辦,同期活動如火如荼,長光華芯攜全系列新品亮相,并舉辦長光華芯參股子公司鎵銳芯光簽約儀式,現(xiàn)場精彩不斷,讓我們共享這一場光的盛宴!

  長光華芯

  新品亮相

  此次,長光華芯對全系列更新迭代產(chǎn)品進行了展示。

  高功率半導(dǎo)體激光芯片

  長光華芯傳統(tǒng)優(yōu)勢產(chǎn)品高功率半導(dǎo)體激光芯片商用功率提升至50W,為中國高功率光纖激光器泵浦源向著小型化、輕量化、智能化快速發(fā)展夯實“芯”基礎(chǔ)。

  激光雷達與3D傳感芯片

  長光華芯高效率激光雷達與3D傳感芯片產(chǎn)品也已通過IATF16949質(zhì)量管理體系認證及車規(guī)級AEC-Q102認證,可以批量供貨,打造中國激光雷達芯片設(shè)計和生產(chǎn)應(yīng)用新標桿。

  高速光通信芯片

  長光華芯強勢發(fā)布的56G PAM4 EML光通信芯片也在本展會首次亮相,同時展示的還有50G PAM4 VCSEL芯片,現(xiàn)場擁躉者眾多,我們成功進入通信芯片高端市場賽道。

  光纖/固體激光器泵浦源

  長光華芯9XXnm光纖激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固體激光器泵浦源功率提升至500W,最大程度的節(jié)約單瓦材料成本,為客戶創(chuàng)造價值。

  直接半導(dǎo)體激光器

  長光華芯直接半導(dǎo)體激光器拓寬了百瓦、千瓦、QCW、1710nm特殊波長、手持焊等多系列產(chǎn)品。

  鎵銳芯光簽約儀式

  上午10點30分,在長光華芯8.1B316展臺舉行了隆重的長光華芯參股公司鎵銳芯光簽約儀式。

  蘇州鎵銳芯光科技有限公司,是長光華芯和中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所聯(lián)合建設(shè)的氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室基礎(chǔ)上成立的成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化平臺公司,研制的綠光激光器光功率已達1.2W,填補國內(nèi)空白,處于國際先進水平;大功率藍光激光器光功率已達7.5W,達到國際一流水平。鎵銳芯光旨在成為國內(nèi)第一、國際一流的氮化鎵基激光器芯片IDM企業(yè),自主掌握外延設(shè)計與材料生長、芯片設(shè)計與制造、封裝與測試等全流程設(shè)計和工藝制造能力。

  中國激光領(lǐng)軍人物大會暨上市公司峰會

  7月10日,長光華芯副總經(jīng)理吳真林在中國激光領(lǐng)軍人物大會暨上市公司峰會做題為《光子時代的芯力量》主題演講。

  最快的刀,最準的尺,最亮的光,激光被稱為二十世紀四大發(fā)明之一,而半導(dǎo)體激光器的誕生使激光成為一種“普惠型的工具,正在加工與制造、醫(yī)療與美容,雷達與傳感,顯示與照明等領(lǐng)域掀起產(chǎn)業(yè)革命。而推動這一場又一場革命力量的源泉,是一顆小小的半導(dǎo)體激光芯片。

  長光華芯是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的IDM公司,以外延和晶圓工藝核心技術(shù)為基礎(chǔ),完善從外延到流片,封裝,光纖耦合,系統(tǒng)集成的完整產(chǎn)業(yè)鏈,實現(xiàn)“中國激光芯”的完全自主可控。

  此外,公司橫向擴展了激光雷達與3D傳感芯片,高速光通信芯片,且均進入該市場的高端核心賽道,可分別應(yīng)用于車載激光雷達與數(shù)據(jù)中心。

  在激光垂直應(yīng)用領(lǐng)域,長光華芯直接半導(dǎo)體激光器專注工業(yè)領(lǐng)域,產(chǎn)品品類齊全,性能可靠。

  激光聚會2023激光技術(shù)持續(xù)賦能智能制造

  7月11日,長光華芯產(chǎn)品經(jīng)理/項目研究員譚博士在激光技術(shù)持續(xù)賦能智能制造論壇上做題為《高功率高亮度半導(dǎo)體激光芯片研究進展》主題演講。

  高功率半導(dǎo)體激光器廣泛用作光纖激光器和固態(tài)激光器的泵浦源,或直接半導(dǎo)體激光系統(tǒng)的光源。為了滿足光纖激光器、固態(tài)激光器和直接半導(dǎo)體激光系統(tǒng)的新興需求,半導(dǎo)體激光器正朝著具有更高的性能、更低的成本和更大的制造規(guī)模的方向發(fā)展。

  譚博士介紹了長光華芯在芯片研發(fā)與制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破,包括腔面鈍化技術(shù),高功率外延結(jié)構(gòu)設(shè)計與生長技術(shù)、高亮度模式控制技術(shù)以及量產(chǎn)制造技術(shù)。2023年,長光華芯推出了9XXnm 50W 高功率半導(dǎo)體激光芯片,在寬度為330μm發(fā)光區(qū)內(nèi)產(chǎn)生50W的激光輸出,亮度達到了105MW/cm2·sr,相較前代產(chǎn)品提高了18.4%,現(xiàn)已實現(xiàn)大批量生產(chǎn)、出貨,是目前市場上量產(chǎn)功率最高的半導(dǎo)體激光芯片。

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