Imec新型SiGe-BiCMOS光接收器實現(xiàn)200Gbps總數(shù)據(jù)速率

  ICC訊（編譯：Nina）在ECOC2023上，來自比利時根特大學imec研究小組IDLab的一組研究人員展示了一種實現(xiàn)200Gbps總數(shù)據(jù)速率的光接收器。他們的方法結(jié)合了SiGe BiCMOS行波電子集成電路和硅光子鍺光電探測器，不僅提供了速度，而且提供了可擴展性，這是想要滿足爆炸式數(shù)據(jù)速率需求的兩個先決條件。

  對速度的需求

  從人工智能到云計算和5G，數(shù)據(jù)密集型應用正在進入不同的行業(yè)和我們?nèi)粘Ｉ畹脑S多方面。為了跟上今天特別是未來的數(shù)據(jù)處理需求，數(shù)據(jù)中心將需要以越來越高的速度運行的光通信網(wǎng)絡。

  imec IDLab高速收發(fā)器項目經(jīng)理、根特大學教授Peter Ossieur表示：“目前，最高性能的光數(shù)據(jù)通信收發(fā)器的運行速度高達800Gbps，例如使用8x100Gbps的通道，但該領(lǐng)域正在設想將通道容量翻倍至200Gbps，以降低收發(fā)器的復雜性、成本和功耗，同時提高制造產(chǎn)量?！?

  快速且可擴展

  Ossiuer是一個致力于為光子學應用開發(fā)高速集成電路的研究團隊。他的團隊現(xiàn)在通過將行波SiGe-BiCMOS跨阻放大器與硅光子Ge光電探測器共同集成，實現(xiàn)了200Gbps的總數(shù)據(jù)速率。

  除了速度之外，主流SiGe BiCMOS的使用使該技術(shù)更具可擴展性，因此價格實惠。Ossieur表示：“達到這種速度的另一種選擇是InP電子產(chǎn)品，這是一種更昂貴、更難以擴展的技術(shù)。SiGe BiCMOS使我們能夠集成更多的功能，并且芯片也可以大批量生產(chǎn)。”

  下一代

  如果光收發(fā)器要跟上爆炸式的數(shù)據(jù)速率，所有的構(gòu)建模塊都需要處理更高的速度。該團隊在imec集成硅光子學平臺(iSiPP)的硅光子學Ge光電探測器的設置中展示了他們的結(jié)果，目標市場是電信、數(shù)據(jù)通信和醫(yī)療診斷行業(yè)。

  imec的光學I/O研究員兼項目主管Joris Van Campenhout表示：“新的光接收器代表了imec為滿足200Gbps及以上應用需求而準備的硅光子平臺的眾多步驟之一：這一結(jié)果是imec硅光子學平臺(iSiPP)在200Gbps通道速率下運行能力的又一個數(shù)據(jù)點，這是即將到來的可插拔和共封裝光學器件的關(guān)鍵要求?！?

  這項工作得到了歐盟地平線2020項目(Horizon 2020)POETICS (No . 871769)和NEBULA (No . 871658)的支持。