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西安三星工廠開啟工藝升級!

摘要:三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝,并已開始大規(guī)模擴張。

 ICC訊  上周一,三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免,其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設備。

  對于三星來說這無疑是一個好消息,而且他們在取得豁免后也確實在采取相應措施。據(jù) Business Korea 報道,三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝,并已開始大規(guī)模擴張。

  消息人士稱,三星已開始采購最新的半導體設備,新設備預計將在 2023 年底交付,并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進可生產(chǎn)第 8 代 NAND 的設備,這也被業(yè)界視為克服全球 NAND 需求疲軟導致產(chǎn)能下降的戰(zhàn)略步驟。

  公開資料顯示,三星(中國)半導體有限公司 2012 年落戶西安高新區(qū),而三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外存儲器半導體生產(chǎn)基地。

  該工廠于 2020 年增設了第二期工廠項目,目前已發(fā)展成為全球最大的 NAND 制造基地,每月可生產(chǎn) 20 萬片 12 英寸晶圓,這占據(jù)了三星 NAND 總產(chǎn)量的 40% 以上。

  三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元,2017 年開始建造的第二工廠,先后投資了 150 億美元。

內(nèi)容來自:中國半導體論壇
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