半導體激光企業(yè)「晶飛半導體」完成數(shù)千萬天使輪融資，無限基金See Fund領投

  ICC訊 11月20日獲悉，北京晶飛半導體科技有限公司(下文簡稱：晶飛半導體)于2023年9月完成天使輪融資，該輪融資金額為數(shù)千萬元。本次融資由無限基金See Fund領投，德聯(lián)資本和中科神光跟投。

  晶飛半導體創(chuàng)始團隊深耕于激光精細微加工領域，利用超快激光加工技術(shù)，為各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案，致力于推動激光精細加工在制造業(yè)的國產(chǎn)化和傳統(tǒng)工藝替代。本輪融資為晶飛半導體注入了強大的資本支持，所獲資金將主要應用于公司產(chǎn)品迭代與更新，積極響應行業(yè)需求，通過技術(shù)創(chuàng)新提供更先進、更經(jīng)濟的解決方案，推動中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，乃至為全球半導體技術(shù)的進步貢獻重要力量。

  資料顯示，晶飛半導體成立于2023年7月，專注于激光垂直剝離技術(shù)研究，旨在實現(xiàn)對第三代半導體材料的精準剝離，以有效降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本。在6英寸和8英寸碳化硅襯底激光垂直剝離技術(shù)的研發(fā)方面，公司近5年連續(xù)獲得“北京市科技計劃項目”支持，并正與國內(nèi)頭部的襯底企業(yè)展開合作工藝開發(fā)。 公司的技術(shù)源自中科院半導體所的科技成果轉(zhuǎn)化，創(chuàng)始團隊深耕于激光精細微加工領域，利用超快激光技術(shù)，為各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案，積極推動激光精細加工在制造業(yè)的國產(chǎn)化和傳統(tǒng)工藝替代。

  公司目前研發(fā)人員占比80%， 其中40%以上的人員具備博士學位，通過將高度多元化的專業(yè)團隊——包括機械、電氣、軟件和光學專業(yè)融合在一起，致力于技術(shù)創(chuàng)新。

  相較于傳統(tǒng)金剛線切割工藝，激光垂直剝離技術(shù)可完成高效、精準的材料剝離，同時減少了碳化硅晶圓的損傷，從而解決了加工速度低、損耗大、成本高等問題。

  從具體數(shù)據(jù)提升上來看，激光垂直剝離相比于金剛線剝離優(yōu)點在于：金剛線剝離的線損為200 μm，研磨和拋光的損失為100 μm;激光垂直剝離晶圓的線損為0，脈沖激光在晶錠內(nèi)部形成爆破層，在分離后由于裂紋延伸的存在，在后續(xù)拋光加工后材料損失可控制在80~100 μm。相比于金剛線剝離損失的1/3，這大大節(jié)約了剝離損失;對于厚度為 2 cm的晶錠，使用金剛線切割晶圓產(chǎn)出量約為30 片，然而采用激光剝離技術(shù)晶圓產(chǎn)出量約為 45 片，增加了約 50 %。

  目前晶飛半導體的第一代樣機已完成組裝與調(diào)試，正在與頭部企業(yè)客戶進行合作驗證和工藝開發(fā)。產(chǎn)品在工藝與設備的穩(wěn)定一致性達到客戶要求后即可完成客戶端產(chǎn)線部署的商業(yè)化進程，本輪融資正是在商業(yè)化節(jié)點上提供重要助力。

  加上晶飛半導體團隊此前已經(jīng)做了大量的知識產(chǎn)權(quán)儲備，使公司能夠在多個領域提供創(chuàng)新解決方案，通過與客戶的緊密合作以確保他們夠充分利用公司的設備和技術(shù)，讓公司的創(chuàng)新成果在半導體材料加工中具有巨大潛力，為客戶提供更高效、更精確的加工解決方案。

  晶飛半導體本次投資跟投方德聯(lián)資本投資經(jīng)理康乾熙認為，新能源革命的大背景下，碳化硅功率器件市場潛力巨大，但成本是制約其滲透率的關鍵因素。在器件層面，碳化硅襯底成本占比高達47%，且由于其材料物理特性，在切片環(huán)節(jié)中近一半的材質(zhì)被無謂損耗;激光剝片這一新技術(shù)的出現(xiàn)可以顯著降低襯底成本，是推動碳化硅器件滲透的重要手段。

  “晶飛半導體團隊具有豐富的激光加工經(jīng)驗，在激光器和激光物質(zhì)底層理論研究方面具有較強的技術(shù)積累，在激光剝片工藝層面也有多年的經(jīng)驗沉積。憑借團隊極強的技術(shù)攻關能力，公司已獲國內(nèi)多家頭部碳化硅襯底廠認可，有望在切片設備領域完成工藝迭代，成為領先的供應商，為新能源革命做出積極貢獻?！? 康乾熙這樣表示。

  在本輪融資中獲得多家知名投資機構(gòu)投資后，晶飛半導體表示所籌集的資金主要用于公司的技術(shù)研發(fā)、市場拓展以及團隊建設。這一投資將進一步加速晶飛半導體在半導體領域的創(chuàng)新步伐，為推動公司技術(shù)和產(chǎn)品的不斷升級提供了有力支持。

  在業(yè)內(nèi)人士看來，晶飛半導體的升級發(fā)展將對整個行業(yè)起到持續(xù)的推動作用。過去碳化硅襯底受制于成本，行業(yè)的滲透一直存在挑戰(zhàn)，而通過在切片加工新技術(shù)的部署，可以大幅降低碳化硅襯底成本從而完成下游，如新能源汽車、軌道交通、光伏等行業(yè)的進一步滲透，降低損耗，推動未來能源系統(tǒng)變革。

  值得關注的是，當前國內(nèi)主流碳化硅襯底企業(yè)主要生產(chǎn)6英寸晶圓，許多頭部企業(yè)和研究機構(gòu)已完成8英寸晶圓開發(fā)并推進量產(chǎn)進程。未來8英寸襯底替代6英寸襯底的演進方向同樣決定線切方式存在極大挑戰(zhàn)，晶飛半導體的激光垂直剝離技術(shù)將迎來更剛性的需求增長，加快滲透步伐。

  從另一個角度來看，晶飛半導體的激光垂直剝離設備不受碳化硅晶錠尺寸限制，能夠為碳化硅襯底企業(yè)提供更靈活的晶圓切片解決方案，從而顯著提高切片效率和晶圓產(chǎn)出率。這一技術(shù)優(yōu)勢為碳化硅晶圓的制造提供了更高度的可定制性和效率優(yōu)勢，為行業(yè)的晶圓生產(chǎn)帶來了創(chuàng)新的可能性。

  團隊構(gòu)成方面，晶飛半導體本科及以上學歷人員占比90%、研發(fā)人員占比80%， 其中40%以上的人員具備博士學位，團隊具備機械、電氣、軟件和光學的融合背景。