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CIOE 2024|光電子先導(dǎo)院亮相第25屆中國國際光電博覽會

摘要:9月11日,為期3天的第25屆中國國際光電博覽會(簡稱:CIOE中國光博會)在深圳國際會展中心開幕。陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司連續(xù)八年參展。本屆中國光博會中,光電子先導(dǎo)院攜砷化鎵基VCSEL單孔晶圓、砷化鎵基VCSEL陣列晶圓、砷化鎵IPD(集成無源器件)晶圓、砷化鎵基VCSEL快測晶圓4項(xiàng)最新成果亮相,受到參展方和社會各界的廣泛關(guān)注。

  ICC訊 9月11日,為期3天的第25屆中國國際光電博覽會(簡稱:CIOE中國光博會)在深圳國際會展中心開幕。作為全球極具規(guī)模及影響力的光電產(chǎn)業(yè)綜合性展會,本屆中國光博會展示面積達(dá)24萬平方米,參展企業(yè)超3700家。

光電子先導(dǎo)院展區(qū)

  作為中國光博會的“老朋友”,本屆展會,陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司(簡稱“光電子先導(dǎo)院”)已連續(xù)八年參展。在時間沉淀與創(chuàng)新升級中,該公司已經(jīng)具備砷化鎵(GaAs)基化合物光電芯片研發(fā)、中試代工、檢測等全流程技術(shù)服務(wù)能力,已經(jīng)開發(fā)了基于砷化鎵材料的VCSEL(垂直腔面發(fā)射激光器)單孔激光器、VCSEL陣列激光器工藝、IPD集成無源器件等工藝。

  在這屆中國光博會中,光電子先導(dǎo)院攜砷化鎵基VCSEL單孔晶圓、砷化鎵基VCSEL陣列晶圓、砷化鎵IPD(集成無源器件)晶圓、砷化鎵基VCSEL快測晶圓4項(xiàng)最新成果亮相,受到參展方和社會各界的廣泛關(guān)注。

光電子先導(dǎo)院攜4款晶圓參展中國光博會

  據(jù)了解,光電子先導(dǎo)院目前已經(jīng)完成了消費(fèi)電子級和車規(guī)級VCSEL芯片工藝開發(fā),具備相應(yīng)的中試代工能力,并與多家行業(yè)龍頭企業(yè)簽訂了代工合同。在6號館6B80-04展臺,光電子先導(dǎo)院的技術(shù)工程師們,以飽滿的熱情迎接客戶,耐心介紹工藝能力及中試代工業(yè)務(wù)。

  “VCSEL陣列激光器芯片,主要面向3D傳感、人臉識別、掃地機(jī)器人、激光雷達(dá)等場景。我們已于2023年11月發(fā)布了陣列VCSEL工藝PDK(Process Design Kit,工藝設(shè)計(jì)套件),目前我們的‘陣列一字線’產(chǎn)品已經(jīng)通過1000H可靠性的驗(yàn)證,完成了車規(guī)級產(chǎn)品的工藝開發(fā),部分產(chǎn)品已經(jīng)開始代工交付。”

  “VCSEL單孔激光器芯片,面向消費(fèi)電子領(lǐng)域的耳機(jī)入耳檢測、距離識別等應(yīng)用場景,我們已經(jīng)發(fā)布了VCSEL單結(jié)單孔PDK,具備相應(yīng)的中試代工能力?!?

  “IPD廣泛應(yīng)用在射頻前端、微波通信、混合信號電路、汽車電子、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。目前我們可提供RLC基礎(chǔ)無源分立器件設(shè)計(jì)和流片,還具備集成了空氣橋結(jié)構(gòu)和背面通孔結(jié)構(gòu)的砷化鎵PIN二極管的設(shè)計(jì)和流片能力。

光電子先導(dǎo)院總經(jīng)理?xiàng)钴娂t(右)向客戶介紹業(yè)務(wù)概況

  據(jù)了解,光電子先導(dǎo)院系西安中科光機(jī)投資控股有限公司(簡稱“西科控股”)的控股子公司。作為陜西省光子產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)研發(fā)平臺和陜西省光子產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”單位,自2015年10月成立以來,光電子先導(dǎo)院始終致力于解決光子企業(yè)和高校項(xiàng)目在初始階段“建不起產(chǎn)線、產(chǎn)品無法驗(yàn)證、產(chǎn)能無話語權(quán)、市場風(fēng)險高”四大痛點(diǎn),至今已為超過100家包括企業(yè)、高校和科研院所在內(nèi)的客戶提供了研發(fā)、中試、檢測等服務(wù),入駐企業(yè)的多項(xiàng)科技成果及產(chǎn)品填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

  “為持續(xù)助推光子產(chǎn)業(yè)發(fā)展,光電子先導(dǎo)院正對現(xiàn)有平臺進(jìn)行全面升級。一方面,新增高可靠車規(guī)級激光器芯片工藝設(shè)備,開發(fā)面向車載激光雷達(dá)領(lǐng)域的激光器芯片工藝技術(shù),進(jìn)一步增強(qiáng)化合物光電芯片研發(fā)、中試代工能力;另一方面,補(bǔ)充硅光工藝設(shè)備,開發(fā)130nm硅光工藝技術(shù)。全力打造‘化合物半導(dǎo)體+硅光’電子集成芯片創(chuàng)新服務(wù)平臺,助推科技成果加速轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力。”光電子先導(dǎo)院總經(jīng)理?xiàng)钴娂t說。

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