廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展 培育千億級產(chǎn)業(yè)集群

  ICC訊 10月21日，廣東省人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案(2024—2030年)》(以下簡稱《行動方案》)的通知。為加快培育發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)，力爭到2030年取得10項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè)10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產(chǎn)業(yè)集群，建設(shè)成為具有全球影響力的光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。該行動方案，明確26點重要任務(wù)。

  光芯片是實現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)元器件，相較于集成電路展現(xiàn)出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲以及更強(qiáng)的抗電磁干擾能力，有望帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革式發(fā)展，有力支撐新一代網(wǎng)絡(luò)通信、人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

  今年9月，在深圳舉辦的IFOC 2024上，通信和光電產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)ICC訊石報告預(yù)測，2023年全球光通信產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值約為480億美元，預(yù)計2028年達(dá)670億美元，年復(fù)合增長率為7.6%；2023年，中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值約為190億美元，預(yù)計2028年達(dá)295.03億美元，年復(fù)合增長率為9.5%。

  光芯片是光通信產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵元器件，尤其是通信激光器芯片。ICC訊石預(yù)測2023-年2028年全球通信激光器芯片需求量年復(fù)合增長率約為5%。從市場金額角度看，2023年全球通信有源光模塊激光器市場金額約為150億元，預(yù)計到2028年將增長至約260億元，2023年-2028年的年復(fù)合增長率約為9.6%。

  隨著光電芯片的應(yīng)用不斷擴(kuò)寬，光芯片產(chǎn)業(yè)將在激光雷達(dá)，傳感，醫(yī)療，航空航天等領(lǐng)域跨界融合發(fā)展，助力新一代網(wǎng)絡(luò)通信，人工智能產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展?！缎袆臃桨浮返陌l(fā)布將極大利好產(chǎn)業(yè)發(fā)展，加快關(guān)鍵核心技術(shù)突破，產(chǎn)業(yè)落地。

  《行動方案》重點任務(wù)，包括突破產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)、加快中試轉(zhuǎn)化進(jìn)程、建設(shè)創(chuàng)新平臺體系、推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展、大力培育領(lǐng)軍企業(yè)和加強(qiáng)合作協(xié)同創(chuàng)新。此外，在重點工程方面，《行動方案》提到推進(jìn)關(guān)鍵材料裝備攻關(guān)工程、產(chǎn)業(yè)強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈建設(shè)工程、核心產(chǎn)品示范應(yīng)用工程以及前沿技術(shù)產(chǎn)業(yè)培育工程。

  明確強(qiáng)化光芯片各項能力支持力度

  《行動方案》明確，強(qiáng)化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力。鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網(wǎng)絡(luò)、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等未來前沿科學(xué)問題開展基礎(chǔ)研究。強(qiáng)化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力。鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網(wǎng)絡(luò)、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等未來前沿科學(xué)問題開展基礎(chǔ)研究。加大“強(qiáng)芯”工程對光芯片的支持力度。

  加快建設(shè)一批概念驗證中心、研發(fā)先導(dǎo)線和中試線。支持企業(yè)、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導(dǎo)體、硅基(異質(zhì)異構(gòu))集成、光電混合集成等領(lǐng)域，建設(shè)概念驗證中心、研發(fā)先導(dǎo)線和中試線，加快科技成果轉(zhuǎn)化進(jìn)程。支持中試平臺積極發(fā)揮效能。鼓勵中試平臺孵化更多創(chuàng)新企業(yè)。建設(shè)創(chuàng)新平臺體系。聚焦前沿技術(shù)領(lǐng)域建設(shè)一批戰(zhàn)略性平臺。聚焦產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新領(lǐng)域培育一批專業(yè)化平臺。聚焦專業(yè)化服務(wù)領(lǐng)域建設(shè)一批服務(wù)類平臺。

  推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展 培育領(lǐng)軍企業(yè)

  強(qiáng)化光芯片產(chǎn)業(yè)系統(tǒng)布局。強(qiáng)化我省光芯片產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展布局，支持有條件的地市研究出臺關(guān)于發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)的專項規(guī)劃，加快引進(jìn)國內(nèi)外光芯片領(lǐng)域高端創(chuàng)新資源，形成差異化布局。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發(fā)揮半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)優(yōu)勢，結(jié)合本地區(qū)當(dāng)前發(fā)展人工智能、大模型、新一代網(wǎng)絡(luò)通信、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)科技的需要，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等產(chǎn)業(yè)集群，打造涵蓋設(shè)計、制造、封測等環(huán)節(jié)的光芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，積極培育光計算芯片等未來產(chǎn)業(yè)。支持依托半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，規(guī)劃建設(shè)各具特色的光芯片專業(yè)園區(qū)。

  大力培育領(lǐng)軍企業(yè)。支持引進(jìn)和培育一批領(lǐng)軍企業(yè)，支持孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè)，支持龍頭企業(yè)加強(qiáng)在粵布局。加強(qiáng)合作協(xié)同創(chuàng)新。積極對接國家集成電路戰(zhàn)略布局，爭取一批國家級光芯片項目落地廣東。積極對接港澳創(chuàng)新資源。積極對接國內(nèi)外其他區(qū)域創(chuàng)新資源。

  加快關(guān)鍵材料裝備攻關(guān) 產(chǎn)業(yè)強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈建設(shè)

  加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)。大力支持硅光材料、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學(xué)傳感材料、電光拓?fù)湎嘧儾牧稀⒐饪棠z、石英晶體等光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)制造。

  推進(jìn)光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。大力推動刻蝕機(jī)、鍵合機(jī)、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實工業(yè)設(shè)備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級。

  支持光芯片相關(guān)部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化。大力支持收發(fā)模塊、調(diào)制器、可重構(gòu)光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。

  加強(qiáng)光芯片設(shè)計研發(fā)。鼓勵有條件的機(jī)構(gòu)對標(biāo)國際一流水平，建設(shè)光芯片設(shè)計工具軟件及IP等高水平創(chuàng)新平臺，構(gòu)建細(xì)分領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢。支持光芯片設(shè)計企業(yè)圍繞光通信互連收發(fā)芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測芯片、短波紅外有機(jī)成像芯片、TOF/FMCW激光雷達(dá)芯片、3D視覺感知芯片等領(lǐng)域加強(qiáng)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化布局。

  加強(qiáng)光芯片制造布局。在符合國家產(chǎn)業(yè)政策基礎(chǔ)上，大力支持技術(shù)先進(jìn)的光芯片IDM（設(shè)計、制造、封測一體化）、Foundry（晶圓代工）企業(yè)，加大基于硅基、鍺基、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰等平臺材料，以及各類材料異質(zhì)異構(gòu)集成、多種功能光電融合的光芯片、光模塊及光器件的產(chǎn)線和產(chǎn)能布局。

  提升光芯片封裝水平。大力發(fā)展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進(jìn)封裝技術(shù)，緊貼市場需求推動光芯片封裝測試工藝技術(shù)升級和能力提升。

  為保證行動方案的有效落實，省半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組統(tǒng)籌推進(jìn)全省光芯片產(chǎn)業(yè)布局，整合各方資源，協(xié)調(diào)解決重大問題。統(tǒng)籌用好現(xiàn)有專項資金支持光芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在基礎(chǔ)研究、成果轉(zhuǎn)化、推廣應(yīng)用、龍頭企業(yè)招引、人才引進(jìn)等方面給予穩(wěn)定資金支持。積極吸引國內(nèi)外光芯片龍頭企業(yè)在粵設(shè)立總部、投資建設(shè)重大項目，建立重大項目投資決策和快速落地聯(lián)動響應(yīng)機(jī)制，強(qiáng)化各項資源保障。

  《行動方案》原文：https://mp.weixin.qq.com/s/3AA7YMsEMGVtRPqYSzF71Q